IT之家 10 月 29 日消息，三星电子（Samsung Electronics）当地时间今早举行了 2026Q3 财报电话会议。会上该企业高管表示，其 2027 年的 HBM 产能已按既定目标价格售罄，而 2028 年的整体 DRAM 内存供应将维持紧张。

三星电子在 2026Q3 的 DRAM 和 NAND 出货容量均上涨个位数百分点，ASP 则分别增长 20% 和近 10%；企业预计 2026Q4 的 DRAM 出货容量将增长 15~20%，NAND 则增长 15% 左右。存储半导体市场整体仍供大于求，高管特别提到收到了大量 QLC 需求。

三星存储器业务已与 10 家客户签署 LTA，正与另外 10 家就多年期合同进行洽谈。随着对这一协议形式感兴趣的用户扩展到移动、汽车、网络领域，三星正稳步推进通过多年期合同锁定 60~70% 产出的计划。客户对滚动续签的需求远超预计，有些客户希望在协议期内追加供应。

在 HBM 方面，三星电子已提前实现细分市占齐平整体 DRAM 市占的目标。其 HBM4 销售额在 Q3 环比增长超 3 倍，已占到 HBM 总营收的 60%。

此外，三星晶圆代工计划加大对韩美晶圆厂的投资，希望同步建设先进封装产能，正就建设更多晶圆厂在内的扩展计划进行评估。该业务预计 8nm 以下节点的产能利用率将突破 100%。