據幣界網消息，三星電子在美國加州聖克拉拉舉行的未來儲存與內存大會（FMS）上推出了其V10、bonding、V-NAND，即BV-NAND原型產品。該芯片擁有超過400層結構，並採用全新的晶圓鍵合架構，以提高儲存密度並增強性能。三星表示，其BV-NAND技術較上一代V9 NAND將儲存密度提高約58%，同時提升讀取、寫入以及輸入/輸出性能，以滿足人工智能系統對更高容量、更高能效儲存解決方案日益增長的需求。三星還展示了業界首個ZHBM和ZNAND-O架構概念模型。該技術通過垂直堆疊儲存單元，在更小空間內儲存更多數據。不同於傳統HBM與AI處理器並列封裝的方式，三星的ZHBM會將儲存垂直堆疊於AI加速器之上，以縮短數據傳輸距離，提高帶寬，同時提升能源效率。三星表示，其晶圓鍵合技術有望實現超過傳統HBM5內存10倍的儲存密度，同時將能源效率提高3倍，並將熱阻降低一半以上。