消息称 NVIDIA 下代 Groq LPU 芯片转向 3D 堆叠 DRAM,放弃大 SRAM 方案
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韩媒报道称,NVIDIA 的下一代 Groq LPU AI 推理加速器芯片有望采用基于 TSV 工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案。当前一代 Groq LPU 采用大容量 SRAM 缓存设计,但 SRAM 在容量和制程升级收益方面存在局限。
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IT之家 10 月 21 日消息,韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道称,NVIDIA(英伟达)的下代 Groq LPU AI 推理加速器芯片有望采用基于 TSV(硅通孔)工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案。

当前一代的 Groq LPU 采用了大容量 SRAM 的缓存设计,提供快速解码输出。但 SRAM 有着容量较小、制程升级密度收益有限的问题,在大型模型表现和芯片迭代上存在固有局限。

IT之家注意到,同样采用大 SRAM 技术路线的 Cerebras 此前已预告未来的 CS-6 将 3D 垂直集成 DRAM。

相关阅读:

  • 《Cerebras 揭秘 CS-6 晶圆级进化:颠覆性 3D 堆叠,首次垂直集成 DRAM》
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